El MIT crea transistores a escala nanométrica para la electrónica de próxima generación
Un equipo de investigadores del MIT ha diseñado un nuevo tipo de transistor en 3D que podría superar a los transistores de silicio actuales en eficiencia energética y rendimiento. Estos innovadores transistores están fabricados con materiales semiconductores ultradelgados, lo que les permite aprovechar principios de la mecánica cuántica para lograr un rendimiento superior y consumir menos energía en un área extremadamente pequeña.